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参数资料
| 型号： | MRF6S18140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 435K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 29W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
1920
1760
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 29 Watts Avg.
-20
0
-4
-8
-12
VDD= 28 Vdc, Pout
= 29 W (Avg.)
IDQ
= 1200 mA, 2-Carrier N-CDMA
2.5 MHz Carrier Spacing, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
1780 1820 1860 19001880
1840
1800
14.8
16.8
-54
30
29
28
26
-24
-30
-36
-42
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.6
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
15
27
-48
-16
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
1920
1760
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 60 Watts Avg.
-20
0
-4
-8
-12
VDD= 28 Vdc, Pout
= 60 W (Avg.)
IDQ
= 1200 mA, 2-Carrier N-CDMA
2.5 MHz Carrier Spacing, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
1780 1820 1860 19001880
1840
1800
14.4
16.4
-42
42
41
40
38
-12
-18
-24
-30
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
39
-36
-16
Figure 5. Two-T one Power Gain versus
Output Power
10 400100
13
19
1
IDQ
= 1800 mA
1500 mA
VDD
= 28 Vdc
f1 = 1838.75 MHz, f2 = 1841.25 MHz
Two-Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
18
17
15
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
14
600 mA
16
900 mA
1200 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-1 0
1
100
-2 0
-3 0
-4 0
400
-60
-5 0
VDD
= 28 Vdc
f1 = 1838.75 MHz, f2 = 1841.25 MHz
Two-Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
IDQ
= 600 mA
1500 mA
900 mA
1200 mA
1800 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S18140HR5 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 |
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| WMF1S27K-F | CAP FILM 0.027UF 100VDC AXIAL |
| KT11P2SA2M34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| 3292W-1-104LF | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S18140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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