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参数资料
| 型号： | MRF6S19100HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 407K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 16.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
?20
?5
?10
?15
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
1990
1930
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 22 Watts Avg.
?20
?5
?10
?15
VDD= 28 Vdc, Pout
= 22 W (Avg.), I
DQ
= 900 mA
2?Carrier N?CDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing
1950 19801970
1960
1940
15.4
16.6
?53
29
27
25
?35
?41
?47
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 44 Watts Avg.
VDD= 28 Vdc, Pout
= 44 W (Avg.), I
DQ
= 900 mA
2?Carrier N?CDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing
14.8
16.2
16
?45
42
40
38
?25
?30
?35
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10 300100
13
18
1
IDQ
= 1300 mA
1125 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Two?Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
17
16
15
?30
?15
1
IDQ
= 450 mA
900 mA
100
?20
?25
300
?55
?50
VDD
= 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Two?Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
10
1990
1930
1950 19801970
1960
1940
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
16.4
16.2
16
15.8
15.6
1.2288 MHz Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
15.8
15.6
15.4
15.2
15
1.2288 MHz Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
14
900 mA
675 mA
450 mA
1300 mA
1125 mA
?35
?40
?45
675 mA
?40
ηD
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