参数资料
型号: MRF6S19100HR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 9/11页
文件大小: 407K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.99GHz
增益: 16.1dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 900mA
功率 - 输出: 22W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: NI-780
供应商设备封装: NI-780
包装: 带卷 (TR)
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 22 W Avg., and
ηD
= 28%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
106
N-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 13. 2-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
IS?95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±885 kHz Offset. IM3 Measured in 1.2288 MHz
Bandwidth @ ±2.5 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
PROBABILITY (%)
f, FREQUENCY (MHz)
?100
0
Figure 14. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
?10
?20
?30
?40
?50
?60
?70
?80
?90
?ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
?IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
?7.5 7.56
1.5 4.53
0
?1.5
?3
?4.5
?6
(dB)
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PDF描述
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