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参数资料
| 型号： | MRF6S21100MR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/20页 |
| 文件大小： | 1456K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 14.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.05A |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270-4 |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
17
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3391-66.000 | OSC 66.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF6S21100MBR1 | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 |
| C3391-64.000 | OSC 64.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| 150333K1000FE | CAP FILM 0.033UF 1KVDC AXIAL |
| C3391-60.000 | OSC 60.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S21100NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2170MHZ 23W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF6S21140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 LDMOS 30W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S21140HR3_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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