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参数资料
| 型号： | MRF6S23140HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 432K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.39GHz |
| 增益： | 15.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.3A |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
W-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @ ±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @ ±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
3.84 MHz
Channel BW
?IM3 in
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
?ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
(dB)
+20
+30
0
?10
?40
?50
?60
?70
?80
?20
?25 2551510
20
0
?5
?10
?15
?20
?30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S24140HS | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| MRF6S27015NR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 |
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| MRF6S27085HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S |
| MRF6S9045NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S24140H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S24140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 W-CDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S24140HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S24140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 W-CDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S24140HS | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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