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参数资料
| 型号： | MRF6V3090NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/19页 |
| 文件大小： | 942K |
| 描述： | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 18W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V3090NR1DKR |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIN02-001DC560K-F | CAP MICA 56PF 300V 10% SMD |
| C3391-40.000 | OSC 40.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MIN02-001DC360J-F | CAP MICA 36PF 300V 5% SMD |
| C3391-4.000 | OSC 4.0000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| KMR441NG LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V3090NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V4300NBR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V4300 Series 600 MHz 110 V RF Power N-Channel Mosfet - TO-272-4 |
| MRF6V4300NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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