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参数资料
| 型号： | MRF6V4300NBR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 816K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V TO-272-4 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 450MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF6V4300NBR5DKR |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
Figure 3. MRF6V4300NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout
ATC
MRF6V4300N/NB
CUT OUT AREA
Rev. 1
C1
C7
B1
R1
C4
C8
C12
L1
C11
C16 C17
C18
B3
C2
C9 C5
L2
C13
L4
L5
C20 C21 C22 C25 C26
C19 C23 C24 C27 C28
C15
L3
C14
C10 C6
B2
C3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6V4300NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP11KGHSR5 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
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