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参数资料
| 型号： | MRF6V4300NBR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 816K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V TO-272-4 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 450MHz |
| 增益： | 22dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | TO-272BB |
| 供应商设备封装： | TO-272 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF6V4300NBR5DKR |
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
1
1000
02010
30
40
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Capacitance versus Drain--Source Voltage
C, CAPACITANCE (pF)
Ciss
1
100
1
TC
=25°C
10
10
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. DC Safe Operating Area
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
20 12040
60
80 100
0
10
0
DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
9
8
7
6
Figure 6. DC Drain Current versus Drain Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
600
18
23
IDQ
= 1350 mA
10
22
21
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 7. CW Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=50Vdc
f = 450 MHz
100
10
100
5
VGS
=3V
Coss
Crss
4
3
2
1
2.75 V
2.63 V
2.5 V
2.25 V
19
100
1125 mA
900 mA
450 mA
100
-- 5 5
-- 1 5
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
600
Figure 8. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
IMD, THIRD ORDER INTERMODULATION
DISTORTION (dBc)
VDD
= 50 Vdc, f1 = 450 MHz, f2 = 450.1 MHz
Two--Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
-- 4 5
-- 5 0
-- 2 0
IDQ
= 450 mA
1350 mA
900 mA
650 mA
1125 mA
38
50
60
28 3129
30 3432 35 36 3733
58
56
54
52
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 9. CW Output Power versus Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P3dB = 56.06 dBm (403 W)
Actual
Ideal
P1dB = 55.15 dBm (327 W)
VDD
=50Vdc,IDQ
= 900 mA
f = 450 MHz
Measured with
±30 mV(rms)ac @ 1 MHz
VGS
=0Vdc
650 mA
-- 6 0
-- 1 0
-- 5
0
59
57
55
53
51
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PDF描述 |
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参数描述 |
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