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参数资料
| 型号： | MRF6VP21KHR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 702K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 225MHz |
| 增益： | 24dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 5mA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 1000W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6VP21KHR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
=5?
Zload
f = 225 MHz
Zsource
f = 225 MHz
VDD
=50Vdc,IDQ
= 150 mA, Pout
= 1000 W Peak
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
225
1.16 + j4.06
2.86 + j1.10
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to drain, balanced configuration.
Figure 14. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
--
-- +
+
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP2600HR6 | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| MRF6VP3091NBR1 | MOSFET RF 50V 350MA TO272-4 |
| MRF6VP3450HR6 | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| MRF6VP41KHSR7 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| MRF7P20040HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6VP2600H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF6VP2600HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W 225MHZ NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP2600HR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP2600HR6 Series 10 - 250 MHz 110 V N-Channel RF Power Mosfet |
| MRF6VP2600HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W 225MHZ NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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