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参数资料
| 型号： | MRF6VP2600HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/19页 |
| 文件大小： | 1438K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 225MHz |
| 增益： | 25dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 2.6A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRF6VP2600HR5DKR |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP2600HR6
PACKAGE DIMENSIONS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A423S1CWZQ | SWITCH TOGGLE 4PDT SOLDER LUG |
| CWX825-25.0M | OSC 25.0000MHZ 5.0V +-50PPM SMD |
| MRF6VP3450HR5 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 |
| MC12FA510G-TF | CAP MICA 51PF 100V 2% 1210 |
| A323T11TWZQ | SWITCH TOGGLE 3PDT SOLDER LUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP2600HR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP2600HR6 Series 10 - 250 MHz 110 V N-Channel RF Power Mosfet |
| MRF6VP2600HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W 225MHZ NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP2600HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF6VP3091N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6VP3091NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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