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参数资料
| 型号： | MRF7S15100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 234K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.51GHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3
W-CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
?60
?100
10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?80
?90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8 5.43.6
0
?7.2
?5.4
?3.6
?1.8
?9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 11. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
?ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
?10
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S15100HR3 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| MIN02-002CC100A-F | CAP MICA 10PF 300V SMD |
| MRF8P23080HR3 | FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780-4 |
| C3391-44.736 | OSC 44.736 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF6V3090NBR1 | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO272-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S15100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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