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参数资料
| 型号： | MRF7S15100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 234K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.51GHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 600mA |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
= 10
Ω
Zload
Zsource
f = 1570 MHz
f = 1410 MHz
f = 1410 MHz
f = 1570 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 600 mA, P
out
= 23 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
1410
2.51 - j5.82
4.12 - j4.20
1430
2.53 - j5.58
3.95 - j4.07
1450
2.55 - j5.36
3.78 - j3.94
1470
2.58 - j5.15
3.61 - j3.80
1490
2.62 - j4.97
3.45 - j3.65
1510
2.67 - j4.81
3.30 - j3.51
1530
2.73 - j4.68
3.15 - j3.37
1550
2.79 - j4.57
3.00 - j3.22
1570
2.85 - j4.49
2.87 - j3.06
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S15100HR3 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| MIN02-002CC100A-F | CAP MICA 10PF 300V SMD |
| MRF8P23080HR3 | FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780-4 |
| C3391-44.736 | OSC 44.736 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF6V3090NBR1 | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO272-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S15100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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