- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21696 > MRF7S16150HR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH NI-780 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF7S16150HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 452K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.6GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 32W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S16150HR3 MRF7S16150HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?70
?10
1 10010
?40
?50
?30
?20
?60
7th Order
5th Order
3rd Order
400
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO?TONE SPACING (MHz)
1 10010
?60
0
IM3?U
?20
?30
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?40
IM3?L
IM5?U
IM5?L
IM7?L
IM7?U
?75
?15
?50
?55
?60
?70
?45
?65
Figure 9. WiMAX, ACPR, Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
60
35
30
10
1 10010 300
20
15
ACPR
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
ACPR (dBc)
ηD
40
25
Gps
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 1500 mA
f = 1630 MHz, 802.16d, 64 QAM 3/4
4 Bursts, 7 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1500 mA
f1 = 1625
MHz, f2 = 1635 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 180 W (PEP), I
DQ
= 1500
mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1630 MHz
400
14
21
0
C
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1500 mA
f = 1630 MHz
TC
= ?30
C
25C
?30
85C
10
1
19
18
17
16
15
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
200
15
21
0 100
16
17
18
IDQ
= 1500 mA
f = 1630 MHz
300
VDD
= 24 V
28 V
?10
45
50
55
?40
?35
?30
C
?25
?20
20
C
60
25
85C
19
20
32 V
5
TC
= ?30
C
25
?30C
85C
?30C
85C
25C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3292W-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.5W TH |
| 3292P-1-204LF | TRIMMER 200K OHM 0.5W TH |
| PBC1-E015 | SWITCH THUMBWHEEL 10POS BCD PC M |
| 3292W-1-203LF | TRIMMER 20K OHM 0.5W TH |
| MRF7S16150HR3 | MOSFET RF N-CH NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S16150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHSR | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。