- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21696 > MRF7S16150HR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH NI-780 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF7S16150HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 452K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.6GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 32W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S16150HR3 MRF7S16150HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances OFDM Signal
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1500 mA, P
out
= 32
W Avg.,
3/4, 4 Bursts, PAR = 9.5 dB @
f = 1600
MHz and f = 1660
MHz, WiMAX Signal, OFDM Single-Carrier, 7 MHz Channel Bandwidth, 64 QAM
0.01% Probability on CCDF.
Mask System Type G @ Pout
= 32
W Avg.
Point B at 3.5 MHz Offset
Point C at 5 MHz Offset
Point D at 7.4 MHz Offset
Point E at 14 MHz Offset
Point F at 17.5 MHz Offset
Mask
?
?
?
?
?
-27
-36
-41
-59
-62
?
?
?
?
?
dBc
Relative Constellation Error @ Pout
= 32 W Avg.
(1)
RCE
?
-29.6
?
dB
Error Vector Magnitude
(1)
(Typical EVM Performance @ Pout
= 32
W Avg. with OFDM 802.16d
Signal Call)
EVM
?
3.3
?
% rms
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 1500
mA, 1600-1660
MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 180 W PEP Pout
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
ΔIMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
20
?
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
= 32 W Avg.
GF
?
0.292
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 60 MHz Bandwidth
@ Pout
= 150
W CW
Φ
?
82.71
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 150
W CW, f = 1630 MHz
Delay
?
7.19
?
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 150
W CW,
f = 1630 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
?
22.38
?
°
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.01387
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.409
?
dBm/°C
1. RCE = 20Log(EVM/100)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3292W-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.5W TH |
| 3292P-1-204LF | TRIMMER 200K OHM 0.5W TH |
| PBC1-E015 | SWITCH THUMBWHEEL 10POS BCD PC M |
| 3292W-1-203LF | TRIMMER 20K OHM 0.5W TH |
| MRF7S16150HR3 | MOSFET RF N-CH NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S16150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S16150HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHSR | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。