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参数资料
| 型号： | MRF7S18125AHSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY (%)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
f, FREQUENCY (MHz)
15 53
Gps
18 59
VDD
= 28 Vdc
17.5
58
17
57
56
54
IRL
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 125 Watts CW
?13
?7
?9
?11
?19
16
55
?15
?17
ηD
1810
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss, EVM and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout
= 57
Watts Avg.
Gps
17.5
0
60
IRL
17
50
40
16
= 1100 mA, EDGE Modulation
30
20
15
10
G
ps
, POWER GAIN (dB)
EVM
EVM, ERROR VECTOR
MAGNITUDE (% rms)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 57 W Avg.
IDQ
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
10 300100
13
18
IDQ
= 1650 mA
VDD
= 28 Vdc
f = 1840 MHz
17
15
14
Figure 5. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
825 mA
1375 mA
550 mA
Pout
= 125 W CW, I
DQ
= 1100 mA
100
?60
0
0.1 101
?20
?30
?40
?50
TWO?TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Two-Tone Spacing
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IM7?U
IM5?U
IM5?L
IM3?L
IM7?L
IM3?U
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W (PEP)
IDQ
= 1100 mA, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1840 MHz
16.5
15.5
1820 1830 1840 1850 1860 1870 1880
16.5
15.5
14.5
1810 1820 1830 1840 1850 1860 1870 1880
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
?13
?7
?9
?11
?19
?15
?17
1100 mA
?10
ηD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18125AHR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| MRF7S18125AHR3 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| CDV19FF111JO3 | CAP MICA 110PF 1KV 5% RADIAL |
| CD5EC750JO3F | CAP MICA 75PF 300V 5% RADIAL |
| CD17FD361JO3F | CAP MICA 360PF 500V 5% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18125AHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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