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参数资料
| 型号： | MRF7S18125AHSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
44
60
Pin, INPUT POWER (dBm)
53
51
50
34 3735
36 38 39
Actual
Ideal
52
Figure 7. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBc)
P6dB = 52.74
dBm (187.8 W)
54
(144.6 W)
55
P1dB = 51.60
dBm
56
57
40 41 42 43
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1100
mA, Pulsed CW
12
μsec(on), 1% Duty Cycle, f = 1840
MHz
300
18
15
70
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1100 mA
f = 1840
MHz
TC
= ?30
C
25C
?30C
10
30
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 8. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Gps
17.5
17
100
40
25C
85C
58
59
P3dB = 52.25
dBm (167.9 W)
16.5
16
15.5
15
14.5
14
13.5
13
12.5
25
35
45
50
55
60
65
85C
Figure 9. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout= 78
W Avg.
15 W Avg.
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
1880
0
5
1810
3
1
1850
1840
1830
1820
4
2
VDD
= 28
Vdc
IDQ
= 1100
mA
EDGE Modulation
1860 1870
43 W Avg.
?50
SR @ 400 kHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
?55
?60
?65
Pout
= 78 W Avg.
SR @ 600 kHz
43 W Avg.
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz AND 600 kHz (dBc)
?70
?75
?80
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1100
mA
EDGE Modulation
1880
1810 18501820 1860 18701830
1840
15 W Avg.
78 W Avg.
15 W Avg.
43 W Avg.
TC
= ?30
C
25C
85C
?75
?35
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?50
?55
?60
?70
20
Figure 11. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
40 20060 80 100
120 140 160 180
?65
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1100 mA
f = 1840 MHz
EDGE Modulation
?45
?40
TC
= ?30
C
25C
85C
?85
?45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?65
?70
?75
?80
20
Figure 12. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
40 20060 80 100
120 140 160 180
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1100
mA
f = 1840
MHz, EDGE Modulation
?60
?55
?50
ηD
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18125AHR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| MRF7S18125AHR3 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| CDV19FF111JO3 | CAP MICA 110PF 1KV 5% RADIAL |
| CD5EC750JO3F | CAP MICA 75PF 300V 5% RADIAL |
| CD17FD361JO3F | CAP MICA 360PF 500V 5% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18125AHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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