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参数资料
| 型号： | MRF7S19170HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 899K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 17.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, 1930--1990 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 170 W PEP Pout
whereIM3=--30dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
?IMD3 = IMD3 @ VBW frequency -- IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
25
?
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
= 170 W CW
GF
?
0.5
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 60 MHz Bandwidth
@Pout
= 170 W CW
Φ
?
2.06
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 170 W CW, f = 1960 MHz
Delay
?
4.7
?
ns
Part--to--Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 170 W CW,
f = 1960 MHz, Six Sigma Window
?Φ
?
16
?
°
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.015
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.01
?
dB/°C
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