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参数资料
| 型号： | MRF7S19170HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 899K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 17.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 53.97 dBm (249 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 m, Pulsed CW
12
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1960 MHz
56
54
52
37 3938 4140 4442
43
Actual
Ideal
P1dB = 53.25 dBm
(211 W)
57
55
51
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 54.33 dBm (271 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
35
34
33
32
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P3dB
2.34 -- j9.24
0.79 -- j2.94
Figure 16. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
36
P3dB = 54.9 dBm (310 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=32Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pulsed CW
12
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1960 MHz
56
54
52
33
37 4138 39
40 4442
43
Actual
Ideal
P1dB = 54.14 dBm
(259 W)
57
55
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 55.27 dBm (336 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
62
35
34
45
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P3dB
2.34 -- j9.24
0.79 -- j2.94
Figure 17. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3262W-1-202LF | TRIMMER 2K OHM 0.25W TH |
| KT11B2JM34 LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| MC18FA681G-TF | CAP MICA 680PF 100V 2% 1812 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S19170HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
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| MRF7S19170HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19210HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19210HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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