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参数资料
| 型号： | MRF7S19170HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 899K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 17.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 6 0
-- 1 0
100
-- 4 0
-- 5 0
-- 3 0
-- 2 0
7th Order
5th Order
3rd Order
400
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 6 0
VDD
=28Vdc,Pout
= 170 W (PEP), IDQ
= 1400 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
IM3--U
-- 1 0
-- 2 0
-- 4 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 5 0
-- 3 0
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
0
Figure 9. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 4
30
Actual
Ideal
0
-- 2
OUTPUT COMPRESSION AT THE 0.01%
PROBABILITY ON THE CCDF (dB)
35 8040 45 50 55 60 65 70 9075 85
25
50
45
40
35
30
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA
f = 1960 MHz, Input PAR = 7.5 dB
-- 1 d B = 4 5 W
-- 2 d B = 6 2 W
-- 3 d B = 8 4 W
Figure 10. Digital Predistortion Correction versus
ACPR and Output Power
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
50
-- 7 0
-- 2 0
40 4241
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
ACPR, UPPER AND LOWER RESULTS (dBc)
43 44 45 46 47
Uncorrected, Upper and Lower
DPD Corrected
No Memory Correction
DPD Corrected
with Memory Correction
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, f = 1960 MHz
Single--Carrier W--CDMA, PAR = 7.5 dB, ACPR @
5 MHz Offset in 3.84 MHz Integrated Bandwidth
48 49
400
13
19
0
90
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
=28Vdc
IDQ
= 1400 mA
f = 1960 MHz
TC
=--30_C
25_C
85_C
10
1
18
17
16
15
14
75
60
45
30
15
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
-- 3 0_C
25_C
85_C
1
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