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参数资料
| 型号： | MRF7S19170HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/16页 |
| 文件大小： | 899K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 17.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
=10?
Zload
Zsource
f = 2040 MHz
f = 1880 MHz
f = 1880 MHz
f = 2040 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
=50WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1880
1.338 -- j7.859
0.967 -- j2.868
1900
1.515 -- j7.609
0.942 -- j2.725
1920
1.743 -- j7.432
0.920 -- j2.585
1940
2.007 -- j7.352
0.893 -- j2.449
1960
2.249 -- j7.393
0.865 -- j2.313
1980
2.410 -- j7.553
0.841 -- j2.192
2000
2.411 -- j7.788
0.820 -- j2.073
2020
2.244 -- j7.995
0.802 -- j1.957
2040
1.966 -- j8.101
0.779 -- j1.834
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S19210HSR5 | MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780S |
| MRF7S21080HSR5 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S |
| MRF7S21110HSR5 | MOSFET RF N-CH 33W NI-780S |
| MRF7S21150HSR5 | MOSFET RF N-CH 150W NI780S |
| MRF7S21170HR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S19210HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19210HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19210HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19210HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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