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参数资料
| 型号： | MRF7S21080HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 802K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 7 0
-- 1 0
1 10010
-- 4 0
-- 5 0
-- 3 0
-- 2 0
7th Order
5th Order
3rd Order
400
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
VDD
=28Vdc,Pout
= 70 W (PEP), IDQ
= 800 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
IM3--L
-- 1 0
-- 2 0
-- 4 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 7 0
-- 3 0
IM3--U
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
-- 5 0
Figure 9. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 6
Actual
Ideal
0
-- 2
OUTPUT COMPRESSION AT THE 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
10 40 5020 30
0
70
60
50
30
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
--1 dB = 21.65 W
--3dB=39.9W
60
Figure 10. Digital Predistortion Correction versus
ACPR and Output Power
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
-- 7 0
-- 2 0
38 4239
40
41
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
ACPR, UPPER AND LOWER RESULTS (dBc)
43 44 45 46 47
Uncorrected
Upper and Lower
DPD Corrected
No Memory Correction
DPD Corrected, with Memory Correction
48 49
200
13
20
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
=28Vdc
IDQ
= 800 mA
f = 2140 MHz
TC
=--30_C
25_C
85_C
-- 3 0_C
25_C
85_C
10
1
18
17
16
15
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
14
-- 6 0
-- 6 0
-- 4
-- 5
40
20
19
60
10
--2dB=20.9W
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
f = 2140 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA, f = 2140 MHz, Single--Carrier
W--CDMA, Input Signal PAR = 7.5 dB
ACPR @
±5 MHz Offset in 3.84 MHz
Integrated Bandwidth
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PDF描述 |
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参数描述 |
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