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参数资料
| 型号： | MRF7S21110HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 742K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 33W NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 17.3dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 33W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21110HR3 MRF7S21110HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2220
2060
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 33 Watts Avg.
2080 22002160
2180
2120
2100
17.6
16.8
-- 2 . 5
36
35
34
33
32
0
-- 0 . 5
-- 1
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
-- 2 0
-- 4
-- 8
-- 1 2
-- 1 6
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
2140
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 70 Watts Avg.
ηD
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10 300100
13
19
1
IDQ
= 1650 mA
1375 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
550 mA
1100 mA
18
17
16
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 1 0
IDQ
= 550 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1375 mA
825 mA
1100 mA
10
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
100
-- 6 0
-- 5 0
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
PARC
825 mA
300
17.4
17.2
17
16.6
16.4
16.2
16
15.8
15.6
-- 1 . 5
-- 2
0
-- 4
-- 8
-- 1 2
-- 1 6
0
16.6
15.8
-- 4
50
49
48
47
46
-- 2
-- 2 . 5
-- 3
16.4
16.2
16
15.6
15.4
15.2
15
14.8
-- 3 . 5
15
350 mA
2220
2060 21602080 22002100
2120
2140
2180
14
VDD=28Vdc,Pout
=33W(Avg.),IDQ
= 1100 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
VDD=28Vdc,Pout
=70W(Avg.),IDQ
= 1100 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF7S21110HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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