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参数资料
| 型号： | MRF7S21110HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 742K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 33W NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 17.3dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 33W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S21110HR3 MRF7S21110HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1100 mA, 2110--2170 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 90 W PEP Pout
whereIM3=--30dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
?IMD3 = IMD3 @ VBW frequency -- IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
10
?
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
=33WAvg.
GF
?
0.325
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 60 MHz Bandwidth
@Pout
=110WCW
Φ
?
0.772
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 110 W CW, f = 2140 MHz
Delay
?
1.9
?
ns
Part--to--Part Insertion Phase Variation @ Pout
=110WCW,
f = 2140 MHz, Six Sigma Window
?Φ
?
39.7
?
°
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.011
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.028
?
dB/°C
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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