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参数资料
| 型号： | MRF7S38010HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 520K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 3.4GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 160mA |
| 功率 - 输出： | 2W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400S-240 |
| 供应商设备封装： | NI-400S-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
PACKAGE DIMENSIONS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S38040HSR5 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S |
| MRF7S38075HSR5 | MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S |
| MRF8P18265HSR6 | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8 |
| MRF8P20100HSR3 | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| MRF8P20140WHSR3 | FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S38040HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38075HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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