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参数资料
| 型号： | MRF7S38040HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 512K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 3.4GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400-240 |
| 供应商设备封装： | NI-400-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S38040HR3 MRF7S38040HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 30 Vdc, P
out
= 8 W Avg., and
ηD
= 15.6%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/
Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu?
lators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
WIMAX TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 13. OFDM 802.16d Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
Input Signal
Compressed Output
Signal @ 8 W Avg. Pout
802.16d, 64 QAM 3/4, 4 Bursts, 7 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
?60
?110
?10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?80
?90
?100
7 MHz
Channel BW
?9 9?7.2
7.2
1.8 5.43.6
0
?3.6
?1.8
?5.4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. WiMAX Spectrum Mask Specifications
Point C
Point C
System Type G
Point B
Point B
Point D
Point D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCN2420E104K-B | CAP FILM 0.1UF 250VDC 2420 |
| FCN2420E823K-B | CAP FILM 0.082UF 250VDC 2420 |
| 184684K63RCB-F | CAP FILM 0.68UF 63VDC RADIAL |
| 184684K63RCA-F | CAP FILM 0.68UF 63VDC RADIAL |
| 150154J400GC | CAP FILM 0.15UF 400VDC AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S38040HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38075HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38075HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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