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参数资料
| 型号： | MRF7S38040HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 512K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 3.4GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400-240 |
| 供应商设备封装： | NI-400-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S38040HR3 MRF7S38040HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
= 25
Ω
Zload
Zsource
f = 3600 MHz
f = 3400
MHz
f = 3400
MHz
f = 3600 MHz
VDD
= 30 Vdc, I
DQ
= 450 mA, P
out
= 8 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
3400
19.57 - j9.98
10.66 - j6.30
3425
20.02 - j9.03
10.41 - j6.55
3450
20.33 - j8.18
9.85 - j6.83
3475
20.45 - j7.42
9.06 - j6.91
3500
20.78 - j6.65
8.30 - j6.84
3525
21.07 - j5.79
7.57 - j6.64
3550
21.45 - j4.55
6.91 - j6.31
3575
22.03 - j3.26
6.39 - j5.92
3600
22.73 - j2.06
5.97 - j5.48
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCN2420E104K-B | CAP FILM 0.1UF 250VDC 2420 |
| FCN2420E823K-B | CAP FILM 0.082UF 250VDC 2420 |
| 184684K63RCB-F | CAP FILM 0.68UF 63VDC RADIAL |
| 184684K63RCA-F | CAP FILM 0.68UF 63VDC RADIAL |
| 150154J400GC | CAP FILM 0.15UF 400VDC AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S38040HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38075HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38075HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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