参数资料
型号: MRF8P18265HSR6
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 10/14页
文件大小: 610K
描述: FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8
标准包装: 150
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 1.88GHz
增益: 16dB
电压 - 测试: 30V
电流 - 测试: 800mA
功率 - 输出: 72W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: SOT-1110B
供应商设备封装: NI1230S-8
包装: 带卷 (TR)
MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1760
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 72 Watts Avg.
-- 2 2
-- 1 0
-- 1 3
-- 1 6
-- 1 9
14.8
16.8
16.6
16.4
-- 3 3
47
=1.3Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
46
45
44
-- 2 8
-- 2 9
-- 3 0
-- 3 1
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
15
1780 1800 1820 1840 1860 1880 1900 1920
43
-- 3 2
-- 2 5
PARC
PARC (dB)
-- 3 . 6
-- 2
-- 2 . 4
-- 2 . 8
-- 3 . 2
-- 4
ACPR (dBc)
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 7 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 6 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 5 0
IM5--U
IM5--L
IM7--U
Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
45
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
25
65 85 125105
0
60
50
40
30
20
10
-- 3 d B = 7 2 W
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
-- 3 7
-- 2 5
-- 2 7
-- 2 9
-- 3 3
-- 3 1
-- 3 5
17.5
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
16.5
16
15.5
15
14.5
Gps
-- 2 d B = 5 2 W
-- 1 d B = 3 6 W
IM3--L
ηD
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
Input Signal PAR = 9.9 dB
@ 0.01% Probability on
CCDF
VDD=30Vdc,Pout
=72W(Avg.),IDQA
= 800 mA, VGSB
Input Signal PAR = 9.9 dB @
0.01% Probability on
CCDF
VDD
=30Vdc,IDQA
= 800 mA, VGSB
=1.3Vdc
f = 1840 MHz, Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth
VDD
=30Vdc,Pout
= 17 W (PEP)
IDQA
= 800 mA, VGSB
=1.3Vdc
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1840 MHz
IM3--U
IM7--L
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