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参数资料
| 型号： | MRF8P18265HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 610K |
| 描述： | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110B |
| 供应商设备封装： | NI1230S-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P18265HR6 MRF8P18265HSR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
VDD
=30Vdc,IDQA
= 800 mA
f
MHz
Max Pout
(1)
Zsource
?
Zload
?
Watts
dBm
1805
195
52.9
2.38 -- j6.43
1.31 -- j2.51
1840
195
52.9
3.70 -- j7.13
1.21 -- j2.50
1880
190
52.8
4.23 -- j7.74
1.24 -- j2.51
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 10. Carrier Side Load Pull Performance ? Maximum P1dB Tuning
Zsource
Zload
Input
Load Pull
Tuner
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
VDD
=30Vdc,IDQA
= 800 mA
f
MHz
Max Eff.
(1)
%
Zsource
?
Zload
?
1805
69.3
2.38 -- j6.43
3.10 -- j1.22
1840
68.9
3.70 -- j7.13
2.59 -- j1.37
1880
68.3
4.23 -- j7.74
2.47 -- j1.17
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 11. Carrier Side Load Pull Performance ? Maximum Efficiency Tuning
Zsource
Zload
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
Input
Load Pull
Tuner
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRF8P20100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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