参数资料
型号: MRF8P20140WHSR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 14/17页
文件大小: 460K
描述: FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 1.88GHz ~ 1.91GHz
增益: 16dB
电压 - 测试: 28V
电流 - 测试: 500mA
功率 - 输出: 24W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780HS-4
供应商设备封装: NI-780HS-4
包装: 带卷 (TR)
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WHSR3 MRF8P20140WGHSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
PARC (dB)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout
= 24 Watts Avg.
-- 1 . 8
-- 1
-- 1 . 2
-- 1 . 4
-- 1 . 6
15
17
16.8
16.6
-- 3 5
44
42
40
38
-- 3 0
-- 3 1
-- 3 2
-- 3 3
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
36
-- 3 4
-- 2
IM3, THIRD ORDER
INTERMODULATION (dBc)
-- 2 9
-- 2 5
-- 2 6
-- 2 7
-- 2 8
-- 3 0
ACPR (dBc)
IM3
PARC
VDD=28Vdc,Pout
=24W(Avg.),IDQA
= 500 mA
VGSB
= 1.2 Vdc, 2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, 30 MHz Carrier Spacing, Input Signal
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
PARC (dB)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Single--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout
= 24 Watts Avg.
-- 2
-- 1 . 6
-- 1 . 7
-- 1 . 8
-- 1 . 9
15
17
16.8
16.6
-- 3 5
43
42
41
40
-- 3 0
-- 3 1
-- 3 2
-- 3 3
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
39
-- 3 4
-- 2 . 1
ACPR (dBc)
PARC
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 30010
100
-- 7 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 6 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 5 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 24 W (PEP)
IDQA
= 500 mA, VGSB
=1.2Vdc
VDD=28Vdc,Pout
=24W(Avg.),IDQA
= 500 mA
VGSB
= 1.2 Vdc, 2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1920 MHz
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