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参数资料
| 型号： | MRF8P20140WHSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/17页 |
| 文件大小： | 460K |
| 描述： | FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.88GHz ~ 1.91GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WHSR3 MRF8P20140WGHSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
VDD
=28Vdc,IDQA
= 500 mA,
Pulsed CW, 10
?sec(on), 10% Duty Cycle
f
(MHz)
Zsource
(?)
Zload
(1)
(?)
Max Output Power
P1dB
P3dB
(dBm)
(W)
?D
(%)
(dBm)
(W)
?D
(%)
1880
5.35 -- j5.03
2.36 -- j4.84
49.7
93
53.7
50.5
113
56.2
1930
7.39 -- j5.10
2.57 -- j4.73
50.0
100
56.9
50.8
119
59.3
1990
9.46 -- j1.71
2.48 -- j5.11
50.0
100
56.4
50.7
118
58.6
2025
9.30 + j0.80
2.50 -- j5.30
50.0
100
56.7
50.7
118
59.1
(1) Load impedance for optimum P1dB power.
Zsource
= Impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 15. Carrier Side Load Pull Performance — Maximum P1dB Tuning
Zsource
Zload
Input
Load Pull
Tuner
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
VDD
=28Vdc,IDQA
= 500 mA,
Pulsed CW, 10
?sec(on), 10% Duty Cycle
f
(MHz)
Zsource
(?)
Zload
(1)
(?)
Max Drain Efficiency
P1dB
P3dB
(dBm)
(W)
?D
(%)
(dBm)
(W)
?D
(%)
1880
5.35 -- j5.03
6.91 -- j4.37
47.6
57
64.6
48.2
67
65.2
1930
7.39 -- j5.10
6.36 -- j3.60
48.0
63
67.3
48.6
72
68.3
1990
9.46 -- j1.71
5.61 -- j3.11
48.0
63
67.2
48.6
72
67.8
2025
9.30 + j0.80
5.28 -- j2.88
47.9
61
66.5
48.5
70
67.3
(1) Load impedance for optimum P1dB efficiency.
Zsource
= Impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 16. Carrier Side Load Pull Performance — Maximum Efficiency Tuning
Zsource
Zload
Input
Load Pull
Tuner
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
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PDF描述 |
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