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参数资料
| 型号： | MRF8P20140WHSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 460K |
| 描述： | FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.88GHz ~ 1.91GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF8P20140WHSR5DKR |
MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WHSR3 MRF8P20140WGHSR3
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
RF Power Field Effect Transistors
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 1880 to
2025 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base
station modulation formats.
?
Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD
=28Volts,
IDQA
= 500 mA, VGSB
=1.2Vdc,Pout
= 24 Watts Avg., IQ Magnitude
Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 9.9 dB
@ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency
Gps
(dB)
?D
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
1880 MHz
16.0
42.8
8.0
--31.0
1920 MHz
16.0
43.7
8.1
--32.6
2025 MHz
15.9
42.0
8.1
--31.2
?
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 30 Vdc, 1920 MHz, 160 Watts CW
(1)
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
?
Typical Pout
@ 3 dB Compression Point
?
170 Watts
(1)
Features
?
Designed for Wide Instantaneous Bandwidth Applications. VBWres
?
240 MHz.
?
Designed for Wideband Applications that Require 160 MHz Signal Bandwidth
?
Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration
?
100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability
?
Characterized with Large--Signal Load--Pull Parameters and Common Source
S--Parameters
?
Internally Matched for Ease of Use
?
Integrated ESD Protection
?
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C
Operation
?
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
?
NI--780H--4L in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 56 mm Tape Width,
13--inch Reel.
?
NI--780S--4L, NI--780GS--4L in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm
Tape Width, 13--inch Reel.
1. P3dB = Pavg
+ 7.0 dB where Pavg
is the average output power measured using an unclipped W--CDMA single--carrier input signal where
output PAR is compressed to 7.0 dB @ 0.01% probability on CCDF.
Document Number: MRF8P20140WH
Rev. 1, 11/2013
Freescale Semiconductor
Technical Data
1880--2025 MHz, 24 W AVG., 28 V
SINGLE W--CDMA
LATERAL N--CHANNEL
RF POWER MOSFETs
MRF8P20140WHR3
MRF8P20140WHSR3
MRF8P20140WGHSR3
NI--780S--4L
MRF8P20140WHSR3
NI--780H--4L
MRF8P20140WHR3
(Top View)
GSA
31RFoutA/VDSA
Figure 1. Pin Connections
GSB
42RFoutB/VDSB
RFinA/V
RFinB/V
NI--780GS--4L
MRF8P20140WGHSR3
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2011, 2013.
All rights reserved.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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