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参数资料
| 型号： | MRF8P20161HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 479K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.92GHz |
| 增益： | 16.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 550mA |
| 功率 - 输出： | 37W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20161HSR3
VDD
=28Vdc,IDQA
= 550 mA
f
MHz
Max Pout
(1)
Zsource
?
Zload
?
Watts
dBm
1880
103
50.1
8.74 -- j9.81
2.08 -- j5.64
1930
108
50.3
13.6 -- j9.01
2.29 -- j5.66
1990
107
50.3
17.6 + j0.07
1.52 -- j5.96
2025
105
50.2
14.6 + j4.42
1.75 -- j5.54
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 11. Carrier Side Load Pull Performance ? Maximum P1dB Tuning
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
VDD
=28Vdc,IDQA
= 550 mA
f
MHz
Max Eff.
(1)
%
Zsource
?
Zload
?
1880
62.7
8.74 -- j9.81
3.61 -- j2.84
1930
66.2
13.6 -- j9.01
3.84 -- j4.10
1990
63.5
17.6 + j0.07
3.02 -- j5.11
2025
64.1
14.6 + j4.42
3.30 -- j4.36
(1) Maximum efficiency measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from gate contact to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 12. Carrier Side Load Pull Performance ? Maximum Efficiency Tuning
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF8P20165WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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