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参数资料
| 型号： | MRF8P20161HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 479K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.92GHz |
| 增益： | 16.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 550mA |
| 功率 - 输出： | 37W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20161HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
31 3932 36 37 3834
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc, IDQA
= 550 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
52
50
48
35
53
51
45
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
49
54
56
33
30
29
55
47
46
28
Ideal
Actual
1880 MHz
1990 MHz
1930 MHz
2025 MHz
1880 MHz
1990 MHz
2025 MHz
1930 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1880
102
50.1
126
51.0
1930
108
50.3
130
51.1
1990
105
50.2
129
51.1
2025
105
50.2
124
50.9
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
1880
P1dB
8.74 -- j9.81
2.08 -- j5.64
1930
P1dB
13.6 -- j9.01
2.29 -- j5.66
1990
P1dB
17.6 + j0.07
1.52 -- j5.96
2025
P1dB
14.6 + j4.42
1.75 -- j5.54
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P20165WHSR3 | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF8P20165WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20165WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20165WHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20165WHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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