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参数资料
| 型号： | MRF8P23080HSR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 645K |
| 代理商： | MRF8P23080HSR3 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P23080HR3 MRF8P23080HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
2290
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 16 Watts Avg.
14
15
14.9
14.8
--36
44
43
42
41
--26
--28
--30
--32
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 14.7
14.6
14.5
14.4
14.3
14.2
14.1
2305
2320
2335
2350
2365
2380
2395 2410
40
--34
PARC
PA
RC
(d
B)
--2
0
--0.5
--1
--1.5
--2.5
AC
PR
(d
Bc)
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--70
--20
--30
--40
--60
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--50
IM7--U
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
20
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
10
30
40
60
30
60
55
50
45
40
35
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1dB = 18.6W
50
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--34
--22
--24
--26
--30
--28
--32
17
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
16
15
14
13
12
11
Gps
IM7--L
IM5--U
IM5--L
VDD =28 Vdc,Pout = 20 W (PEP)
IDQA = 280 mA, VGSB =0.7 Vdc
VDD =28 Vdc,Pout =16 W (Avg.),IDQA = 280 mA
VGSB = 0.7 Vdc, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
ηD
IM3--U
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2350 MHz
IM3--L
--2dB = 27.5W
--3dB = 37.5W
VDD =28 Vdc,IDQA = 280 mA, VGSB = 0.7 Vdc, f = 2350 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth, Input
Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Gps
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