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参数资料
| 型号： | MRF8S19260HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 504K |
| 描述： | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 74W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110A |
| 供应商设备封装： | NI1230-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1880
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 74 Watts Avg.
-- 1 3
-- 5
-- 7
-- 9
-- 11
15
20
19.5
19
-- 3 8
36
35
34
33
--30.5
-- 3 2
--33.5
-- 3 5
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
32
--36.5
-- 1 5
PARC
PARC (dB)
-- 2 . 2
-- 1
-- 1 . 3
-- 1 . 6
-- 1 . 9
-- 2 . 5
ACPR (dBc)
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 6 0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD
=30Vdc,Pout
= 220 W (PEP), IDQ
= 1600 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
40
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
20
60 80 120100
12
42
37
32
27
22
17
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
-- 1 d B = 5 7 W
ηD
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
-- 5 5
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 5
-- 4 0
-- 5 0
18.7
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Gps
IM3--U
IM3--L
-- 2 d B = 8 0 W
--3 dB = 108 W
VDD
=30Vdc,IDQ
= 1600 mA, f = 1960 MHz, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
VDD=30Vdc,Pout
=74W(Avg.),IDQ
= 1600 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @
0.01% Probability on
CCDF
IM5--U
18.5
18.3
18.1
17.9
17.7
17.5
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