- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21720 > MRF8S19260HR6 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230-8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF8S19260HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/14页 |
| 文件大小： | 504K |
| 描述： | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 74W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110A |
| 供应商设备封装： | NI1230-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
PACKAGE DIMENSIONS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTM8106ERA04 | SWITCH TOGGLE SPDT 6AMP T/H |
| MTM8106DVRA04 | SWITCH TOGGLE SPDT 6AMP T/H |
| MRF8S9260HR3 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880H |
| ATE1FGRA104 | SWITCH TOGGLE SPDT 0.4VA T/H |
| ATE1DGRA104 | SWITCH TOGGLE SPDT 0.4VA T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S19260HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.9GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。