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参数资料
| 型号： | MRF8S19260HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 504K |
| 描述： | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 74W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110B |
| 供应商设备封装： | NI1230S-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
VDD
=30Vdc,IDQ
= 1600 mA,
Pout
=74WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1880
2.97 -- j0.46
0.95 -- j1.96
1900
3.16 -- j0.43
0.93 -- j1.86
1920
3.36 -- j0.42
0.92 -- j1.75
1940
3.58 -- j0.45
0.91 -- j1.65
1960
3.80 -- j0.53
0.91 -- j1.56
1980
4.02 -- j0.65
0.90 -- j1.46
2000
4.24 -- j0.83
0.90 -- j1.37
2020
4.43 -- j1.06
0.89 -- j1.29
2040
4.58 -- j1.35
0.89 -- j1.20
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 10. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF8S21100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21120HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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