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参数资料
| 型号： | MRF8S21120HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 505K |
| 描述： | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780H |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.17GHz |
| 增益： | 17.6dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 850mA |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 850 mA, 2110--2170 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
107
(1)
?
W
IMD Symmetry @ 80 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
45
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
50
?
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
=28WAvg.
GF
?
0.2
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.015
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.005(1)
?
dBm/°C
1. Exceeds recommended operating conditions. See
CW operation data in Maximum Ratings table.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21100HR3 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 |
| C3391-33.000 | OSC 33.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF6S19100HR3 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 |
| MIN02-002DC430J-F | CAP MICA 43PF 300V 5% SMD |
| C3391-32.768 | OSC 32.768 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S21120HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21120HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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