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参数资料
| 型号： | MRF8S26120HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 928K |
| 描述： | FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.7GHz |
| 增益： | 15.6dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 900mA |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3
VDD
=28Vdc,IDQ
= 900 mA,
Pout
=28WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2570
5.21 -- j5.62
3.17 -- j4.27
2590
5.26 -- j5.33
3.15 -- j4.20
2610
5.31 -- j5.02
3.12 -- j4.12
2630
5.35 -- j4.71
3.10 -- j4.04
2650
5.39 -- j4.39
3.07 -- j3.96
2670
5.46 -- j4.05
3.06 -- j3.88
2690
5.53 -- j3.77
3.06 -- j3.82
2710
5.57 -- j3.47
3.05 -- j3.77
2730
5.59 -- j3.15
3.05 -- j3.73
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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