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参数资料
| 型号： | MRF8S9100HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 484K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 920MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9100HR3 MRF8S9100HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 500 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
54
52
50
37 38
Actual
Ideal
55
53
49
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
51
56
35
34
33
30
32
31
57
f = 960 MHz
47
46
48
27 2928
f = 940 MHz
f = 920 MHz
f = 960 MHz
f = 940 MHz
f = 920 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
920
166
52.2
199
53.0
940
158
52.0
195
52.9
960
166
52.2
209
53.2
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
920
P1dB
3.96 -- j2.74
1.60 + j0.12
940
P1dB
3.67 -- j2.95
1.57 + j0.22
960
P1dB
3.31 -- j3.07
1.53 + j0.32
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84299D1101B3 | FILTER POWER LINE 100A 250V |
| C3391-30.000 | OSC 30.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| DPPM10D22K | CAP FILM 2200PF 1KVDC RADIAL |
| MRF8S9100HR3 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
| NTMS10P02R2G | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S9100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9102NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9120NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9170NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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