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参数资料
| 型号： | MRF9045LR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 591K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 18.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 55W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 短引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIN02-002C3R3D-F | CAP PTFE 3.3PF 300V SMD |
| MMZ1005B601C | FERRITE CHIP BEAD 600 OHM 0402 |
| MC18FD241F-TF | CAP MICA 240PF 500V 1% 1812 |
| MRF9045LSR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 3269P-1-201LF | TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9045LSR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W 945MHZ LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 45W RF PWR LDMOS NI360S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9045M | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9045MBR1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9045MR1 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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