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参数资料
| 型号： | MRF9045LR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 591K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 18.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 350mA |
| 功率 - 输出： | 55W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 短引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1 10 1000
130.1
14
15
16
17
18
19
20
10
20
30
40
50
60
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
f, FREQUENCY (MHz)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
930
20
Figure 3. Class AB Broadband Circuit Performance
16
13
12
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Power Gain versus Output Power Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
17
15
14
19
18
935 940 945 950 955 960
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Figure 7. Power Gain, Efficiency versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
-- 3 8
-- 3 6
-- 3 4
-- 3 2
-- 3 0
40
45
50
55
-- 1 2
-- 1 6
-- 1 4
, DRAIN
η
EFFICIENCY (%)
IMD, INTERMODULATION
DISTORTION (dBc)
IRL, INPUT RETURN
LOSS (dB)
Gps
η
IMD
IRL
Gps
η
VDD
=28Vdc
IDQ
= 350 mA
f1 = 945 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=28Vdc
Pout
= 45 W (PEP)
IDQ
= 350 mA
Two--Tone Measurement,
100 kHz Tone Spacing
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
1 10 100
400 mA
IDQ
= 525 mA
VDD
=28Vdc
f1 = 945 MHz
350 mA
300 mA
16.50.5
17.0
17.5
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
-- 7 0
0.5 1 10 100
-- 6 0
-- 5 0
-- 4 0
-- 3 0
-- 2 0
-- 1 0
400 mA
IDQ
= 300 mA
525 mA
350 mA
VDD
=28Vdc
IDQ
= 350 mA
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
3rd Order
5th Order
7th Order
-- 9 00.5 1 10 100
-- 8 0
-- 6 0
-- 5 0
-- 4 0
-- 3 0
-- 1 0
-- 7 0
-- 2 0
VDD
=28Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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