- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21700 > MRF9060LSR1 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF9060LSR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 365K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360S |
| 供应商设备封装： | NI-360 短引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μAdc)
VGS(th)
2
2.9
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDS
= 26 Vdc, I
D
= 450 mAdc)
VGS(Q)
?
3.7
?
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 1.3 Adc)
VDS(on)
?
0.17
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 4 Adc)
gfs
?
5.3
?
S
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
(VDS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Ciss
?
98
?
pF
Output Capacitance
(VDS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Coss
?
50
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Crss
?
2
?
pF
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 302119000 | SWITCH THUMBWHEEL BCD REAR MNT |
| 3269P-1-203LF | TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD |
| CD16FD152JO3F | CAP MICA 1500PF 500V 5% RADIAL |
| CB315FP-R | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
| 3269X-1-101LF | TRIMMER 100 OHM 0.25W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9060LSR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W RF PWR FET NI360LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9060MBR1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs |
| MRF9060MR1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF9060NBR1 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。