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参数资料
| 型号： | MRF9060LSR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 365K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360S |
| 供应商设备封装： | NI-360 短引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
?70
0.1
0
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
10
1
?10
?20
?30
?40
?50
?60
10 1000
8
10
12
14
16
18
20
10
20
30
40
50
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
f, FREQUENCY (MHz)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10
930
18
Figure 3. Class AB Broadband Circuit Performance
14
11
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Power Gain versus Output Power Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
15
13
12
17
16
?38
935 940 945 950 955 960
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Figure 7. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
?36
?34
?32
?30
35
40
45
50
?10
?18
?14
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
IMD, INTERMODULATION
DISTORTION (dBc)
IRL, INPUT RETURN
LOSS (dB)
Gps
IMD
IRL
Gps
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 450 mA
f = 945 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 26 Vdc
Pout
= 60 W (PEP)
IDQ
= 450 mA
1 10 100
500 mA
IDQ
= 650 mA
VDD
= 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
450 mA
275 mA
VDD
= 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
IDQ
= 275 mA
?12
?16
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
1 10 100
?20
?25
?30
?40
?45
?50
?60
450 mA
500 mA
650 mA
3rd Order
5th Order
7th Order
?35
?55
Two?Tone Measurement,
100 kHz Tone Spacing
VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 450 mA
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
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