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参数资料
| 型号： | MRF9060MBR1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封装： | PLASTIC, CASE 1337-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | MRF9060MBR1 |
3
MRF9060MR1 MRF9060MBR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
G
ps
17
18
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
37
40
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
—
–31.5
–28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
—
–14.5
–9
dB
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHZ)
G
ps
—
18
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHZ)
η
—
40
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHZ)
IMD
—
–31
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHZ)
IRL
—
–12.5
—
dB
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