| 型号: | MRF9060MBR1 |
| 厂商: | MOTOROLA INC |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封装: | PLASTIC, CASE 1337-03, 2 PIN |
| 文件页数: | 4/12页 |
| 文件大小: | 422K |
| 代理商: | MRF9060MBR1 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9060MR1 | The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs |
| MRF9080LSR3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9080SR3 | 20 characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor |
| MRF9080R3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9080 | 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9060MR1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF9060NBR1 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF9060NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W 1GHZ FET TO-270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9060NR1_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060R1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:945 MHz, 60 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |