参数资料
型号: MRF9080
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM
中文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: NI-780, CASE 465-06, 3 PIN
文件页数: 9/12页
文件大小: 439K
代理商: MRF9080
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MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
NOTES
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PDF描述
MRF9100 GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF9100R3 GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF9100SR3 20 characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor
MRF9482T1 RF MOSFETS(RF MOS场效应管)
MRF949T1 Low Noise Transistor(低噪声晶体管)
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF9080LR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 75W 960MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9080LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9080LR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 75W 960MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9080LSR3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF9080R3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS