参数资料
型号: MRF917T1
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 9/12页
文件大小: 252K
代理商: MRF917T1
9
MRF917T1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
(Volts)
IC
(mA)
f
(GHz)
S11
S21
S12
S22
VCE
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–38
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–35
–36
–37
–45
–56
–68
–80
–112
10
Table 2. MRF917T1 Common Emitter S–Parameters (continued)
相关PDF资料
PDF描述
MRF927T1 36K SERIAL CONFIGURATION PROM
MRF927T3 36K SERIAL CONFIGURATION PROM
MRFA2600 RF POWER AMPLIFIER
MRFA2602 TRI N RECP F FLG 4-20
MRFA2604 RF POWER AMPLIFIER
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF9180 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF9180R5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 170W 26V LDMOS NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9180R6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 170W 26V LDMOS NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF9180S 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF9200LR3 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs