参数资料
型号: MRF9511LT1
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: CAP CERAMIC 5.1PF 25V C0G 0201
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: CASE 318A-05, 4 PIN
文件页数: 8/16页
文件大小: 215K
代理商: MRF9511LT1
MMBR951 MRF957 MRF9511 SERIES
8
MOTOROLA RF DEVICE DATA
VCE
(Vdc)
IC
f
S11
S21
S12
S22
(mA)
(MHz)
|S11|
0.84
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φ
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φ
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φ
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–53
–62
–66
–78
–88
–105
–132
Table 2. MRF9511LT1 Common Emitter S–Parameters (continued)
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PDF描述
MRF957T1 NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MRF9820T1 SURFACE MOUNT LOW NOISE ENHANCEMENT MODE GaAs CASCODE
MRF9822T1 HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR GaAs PHEMT
MRFG35003MT1 The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRFIC0001 QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF951V2 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF951V3 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF951V4 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MRF957 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MRF957T1 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors