参数资料
型号: MRFE6S9046NR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 13/21页
文件大小: 630K
描述: MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4
标准包装: 500
晶体管类型: LDMOS
频率: 960MHz
增益: 19dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 300mA
功率 - 输出: 35.5W
电压 - 额定: 66V
封装/外壳: TO-270AB
供应商设备封装: TO-270 WB-4
包装: 带卷 (TR)
20
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
May 2009
?
Initial Release of Data Sheet
相关PDF资料
PDF描述
MRFE6S9060NR1 MOSFET RF N-CH 14W TO270-2
MRFE6S9125NR1 MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4
MRFE6S9130HSR5 MOSFET RF N-CH 27W NI-780S
MRFE6S9135HSR5 MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S
MRFE6S9160HSR5 MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S
相关代理商/技术参数
参数描述
MRFE6S9060GNR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO 270-2GN FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9060NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9060NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6S9060 Series 880 MHz 14 W 28 V N-Channel RF Power MOSFET
MRFE6S9125NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 125W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9125NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 125W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray